半导体与显示屏
市场趋势
更快、更小、更精密
AI 的普及让半导体行业迎来前所未有的转折点。随着 AI 算力需求爆发式增长，存储器与逻辑芯片同步走向高集成、高性能。3D 堆叠与异质集成（Heterogeneous Integration）已成为下一代半导体竞争力的核心。与此同时，各道工序对材料精度与质量标准的要求也在不断提高。 显示产业同样面临这一压力。随着 OLED 走向柔性化、Micro LED 进入量产，蒸镀材料与电极材料在纯度和均匀性上的要求持续提高。这一变化并不局限于某个地区。亚洲、欧洲、美洲的先进制造商面临同样的课题，LT金属以贵金属材料技术与长期积累的工艺经验，支撑全球客户的制造竞争力。
各工序需求
各工序的贵金属材料需求
半导体与显示屏制造使用多种贵金属材料。技术越是升级，材料的纯度、均匀性与电学特性，越是决定产品性能、良率与可靠性的关键指标。
| 分类 | 工序 | 使用材料 | 核心特性要求 | LT金属供货品类 |
|---|---|---|---|---|
| 半导体 | 前道工序 —— 溅射靶材（Sputtering Target） | Au, Ag, Pt, Pd, Ru | 6N（99.9999%）以上高纯度；晶粒结构均匀 | 贵金属溅射靶材 |
| 前道工序 —— 扩散阻挡层 | Ru, Pt | 耐高温氧化；薄膜均匀性 | Ru/Pt 镀膜靶材 | |
| 3D 堆叠 —— TSV 电镀 | Au、贵金属种子层 | 低电阻；无孔洞填充 | 贵金属电镀材料与化学品 | |
| 微凸点键合 | Au, Ni, Cu, Sn, SnAg | 倒装芯片焊点可靠性 | 贵金属焊料材料 | |
| 引线键合 | Au, Ag, AuPdCu | 线弧成型性；长期可靠性 | 键合丝（Bonding Wire） | |
| EMI 屏蔽涂层 | Cu, SUS | 电磁屏蔽；高可靠性；薄膜均匀 | 电磁屏蔽用靶材 | |
| 封装端子电镀 | Au, Pd-Ni, Ag | 接触电阻稳定；耐腐蚀性 | 选择性贵金属电镀材料 | |
| 显示 | OLED 电极蒸镀 | Ag, Ni, Cu, Mo, Al, IGZO, ITO, IZO | 透过率；反射率；方阻；刻蚀特性 | OLED 用蒸镀靶材 |
| 显示布线材料 | Ag, Ni, Cu, Mo, Al, IGZO, ITO, IZO | 透过率；反射率；方阻；刻蚀特性 | 薄膜布线用贵金属材料 |
材料转换
先进封装时代的材料转换
AI 加速器与高性能计算（HPC）的普及，推动 3D 堆叠存储器技术快速发展。TSV（Through Silicon Via）集成密度越高，电镀均匀性与填充质量对芯片性能和良率的影响越大。LT金属以精密的贵金属材料技术，响应半导体工艺不断提高的要求。 在引线键合领域，镀钯铜线（PCC Wire）正在越来越广的应用范围内取代金（Au）线。LT金属不仅供应材料，还提供工艺导入所需的技术支持，帮助客户同时获得成本竞争力与可靠性。随着柔性、可折叠显示与 Micro LED 技术的发展，贵金属接合材料与电极材料也面临新的性能标准。作为材料转换的合作伙伴，LT金属从开发阶段起就与客户并肩。以工程之力，设计明日的必需材料。
案例
应用领域
高集成 3D 存储器量产工艺的 TSV 电镀材料开发支持
下一代 OLED 面板蒸镀工艺用高纯度贵金属靶材供应
半导体封装工艺 Au → PCC 线材转换的技术支持
MEMS 传感器电极工艺用 Pt/Ir 溅射靶材供应
为什么选择 LT金属
三大设计能力
全球客户选择 LT金属，是因为我们在成分、结构与可靠性上的设计能力，能够实现客户所要求的性能与质量。这正是 LT金属的核心竞争力。
我们设计成分。
同样是贵金属，纯度与合金成分不同，导电性、耐热性、薄膜应力也会有很大差异。LT金属综合分析半导体与显示屏工艺的电学、热学、力学要求，直至纯度等级与晶粒尺寸，设计出与客户工艺条件相匹配的合金成分。
我们设计结构。
必需材料不只由成分决定。依托 ITO 靶材等功能性靶材的自主粉末合成技术，我们从一开始就设计粒度分布、烧结密度与晶体结构；并通过结构优化，把颗粒产生与异常放电降到最低，支撑工艺稳定运行。
我们设计可靠性。
必需材料必须「每一次都可靠运行」。以 6N（99.9999%）纯度认证、逐批次 CoC 合格证明、XRF 与 ICP 成分分析基础，我们运行符合半导体制造严格质量标准的可靠性验证体系。
