键合线
连接半导体的起点与终点
一枚芯片，数千根丝，每一根都不容失效
一根丝的品质，决定整枚芯片的良率。
LT金属以5N（99.999%）以上的高纯度材料和30年的加工技术，精心打造每一根键合线
键合线是连接半导体芯片与引线框架的细导线，也是芯片与外部电路交换信号的通路。作为韩国最大的贵金属专业企业，LT金属以 5N（99.999%）以上纯度的精炼金材料与30余年积累的加工技术为基础，制造并供应目前韩国市场所使用的各种用途、各种规格的键合线。
- 均匀稳定的 FAB(Free Air Ball)形状及优异的线弧特性
- 通过严格管控 E/L、B/L 等关键特性，实现客户满意
- 洁净的生产线及严格的质量管理体系
- 逾30年积累的贵金属相关技术与经验
- 依托先进的分析设备，提供快速高效的技术支持体系
产品构成
GBW (Gold Bonding Wire)
以 4N、2N 金及 Au-Ag 合金为基础的标准键合线。FAB 形状稳定、线弧性能优异，适用于从存储器到高可靠性封装的各类产品；产品系列涵盖软型（HS-H）、高强度（HS-S2H）、高加工性（HS-EW）与低成本（HS-G3）。
SBW (Silver Bonding Wire)
以 79%～98% 银合金为基础的键合线，在保持高导电率的同时，相对金线降低了成本。适用于同时追求成本与性能的场合，我们按用途提供从高导电性（HS-ES8）到高可靠性（HS-LS）的四种成分。
CBW (Copper Bonding Wire)
以 4N 铜为基材、表面镀 Pd 或 Au-Pd 的键合线。具备高载流能力与高键合强度；通过调控镀层成分与分布，可从低 Pad 损伤（G1-S）、高屈服强度（GPF Ultra）到高可靠性合金型（GPR）中选择。
| 纯度（Purity） | 产品类型（Product Type） | 特性（Feature） | |
|---|---|---|---|
| GBW(Gold Bonding Wire) | 4N | HS-H | 软型（Soft） |
| HP | 通用型（Universal） | ||
| HS-S2H | 高强度（High Strength） | ||
| HS-EW | 高加工性（High Workability）（存储器封装用） | ||
| 2N | HS-U | 高可靠性（High Reliability） | |
| Au 80% | HS-G3 | 低成本（Low cost） | |
| SBW(Silver Bonding Wire) | 88% | HS-FG | 基础型（Original type） |
| 95% | HS-ES5 | 成本低于 Ag88% | |
| 98% | HS-ES8 | 高导电性（High Conductivity） | |
| 79% | HS-LS | 高可靠性（High Reliability） | |
| CBW(Copper Bonding Wire) | 4N | HS-CL | 软型 4N（无镀层） |
| HS-RF2 | 镀 Pd 铜线（Pd coated Cu） | ||
| HS-GP | 镀 Au/Pd 铜线（Au&Pd coated Cu） | ||
| GPF Plus | Pd 分布量更高 | ||
| G1-S | 软型／降低 Pad 损伤 | ||
| GPF Ultra | 线弧成型（高屈服强度） | ||
| 2N | GPR | 高可靠性（合金型） |
为何选择 LT金属
三大设计能力
全球客户选择 LT金属，是因为我们在成分、结构与可靠性上的设计能力，能够实现客户所要求的性能与质量。这正是 LT金属的核心竞争力。
我们设计成分。
线材的纯度与微量添加元素，决定 FAB 形状、线弧稳定性与键合强度。LT金属自主保障 5N 以上纯度的精炼贵金属原料，从金、银合金到镀层铜线，设计与客户封装条件和成本目标相匹配的成分。
我们设计结构。
我们通过拉丝与热处理设计晶粒尺寸、HAZ 长度、硬度与延伸率。以 ±1.0㎛ 的公差，供应从 0.6MIL（15㎛）到 2.0MIL（50㎛）的全线径范围，并可按客户的设备与工艺条件匹配规格。
我们设计可靠性。
我们严格管控延伸率（E/L）与拉断力（B/L），并运行反映实际键合工况的验证体系 —— 洁净的生产线、线材退绕（Despooling）测试与表面有机碳（TOC）分析。一旦发生键合不良，依托自有分析设备，我们能够快速查明原因并提出改善方向。
