薄膜与镀膜材料

从显示面板到 AI 半导体芯片 —— LT金属的精密薄膜材料。

材料特性,决定显示性能。

在 LT金属,这份精密每天都更进一步。

薄膜材料通过溅射(Sputtering)或蒸镀(Evaporation)工艺,形成数纳米至数微米厚的功能性金属层。靶材的纯度、密度、晶体结构与成分均匀性,直接决定薄膜的电学与光学特性。在半导体、显示、太阳能电池、医疗器械等领域,薄膜材料的品质既决定产品性能,也决定制造的稳定性。 LT金属以自主粉体合成技术,实现了 ITO 靶材的韩国本土化生产。依托多年积累的金属合金技术,我们在陶瓷靶材与金属靶材上均实现了一致的品质与稳定的性能。

工艺选择指南

溅射 vs. 蒸镀 —— 各工艺的最优材料

工艺方式 适用条件 LT金属供应材料 主要应用
溅射 大面积膜层均匀、附着力高 陶瓷靶材、高纯金属与贵金属靶材、混合靶材 FPD、半导体布线、OLED 反射膜
蒸镀 高纯度、低氧含量 高纯度、低氧含量 Ag Disk、Pellet、Granule OLED 面板、研发用

溅射靶材(Sputtering Target)

产品系列 产品 纯度(Purity) 成分 应用领域
显示 Ceramic

(Planar, Rotary)

ITO 4N 以上 1/3/5/7/10% SnO2(其他成分另询) 透明电极、太阳能等
IGZO 4N 以上 1:1:1(其他成分另询) TFT 半导体
IZO 4N 以上 10%(其他成分另询) 透明电极、太阳能等
ITZO 4N 以上 另询 TFT 半导体
Mo 氧化物系 3N5 以上 另询 低反射
Metal

(Planar, Rotary)

Ag 4N5 以上 Pure & Alloy 阳极等
Cu 4N5 以上 Pure 电极布线
Mo 3N5 以上 Pure & Alloy 电极布线
Al 4N 以上 Pure & Alloy 电极布线
Ti 3N5 以上 Pure & Alloy 电极布线
Cr 4N 以上 Pure & Alloy Photo mask
Hybrid

(Ceramic+Metal)

WOX 4N 以上 另询 低反射
半导体 Metal

(Planar, Rotary)

Ta 4N5 以上 Pure 扩散阻挡层
CuMn 6N(99.9999%)以上 另询 半导体布线
Au 4N5 以上 Pure Bumping
Cu 4N5 以上 Pure EMI-Shield
SUS 3N 以上 SUS304L, SUS316L EMI-Shield
Ni 3N5 以上 Pure 后道工序
Metal Pt 4N 以上 Pure 晶圆镀膜

蒸镀

产品系列 产品 纯度(Purity) 成分 应用领域
蒸镀材料 Ag Disk 4N 以上 Pure Ag 大尺寸 OLED 面板
Granule 4N 以上 Pure Ag 中小尺寸 OLED 面板
Pellet 4N 以上 Pure Ag 小尺寸 OLED 面板
Pt Pellet 3N5、4N 以上 Pure Pt 电极布线

产品构成

负责人联系方式
· 封装材料:+82-32-820-9694
· 薄膜材料:+82-32-820-9694

半导体用溅射靶材

供应 Ta·CuMn(扩散阻挡层)、Cu·SUS(EMI 屏蔽)、Au·Ni(凸点)靶材。

显示用溅射靶材

供应 ITO·IGZO(FPD、触控面板、太阳能电池)、ITZO·IGZO(OLED、氧化物 TFT)、金属(布线)、Ag 合金(OLED 反射膜)、Mo/W 系(低反射)靶材。

蒸镀材料

供应 Ag Disk、Ag Granule、Ag Pellet 及 Pt Pellet。

为何选择 LT金属

三大设计能力

全球客户选择 LT金属,是因为我们在成分、结构与可靠性上的设计能力,能够实现客户所要求的性能与质量。这正是 LT金属的核心竞争力。

我们设计成分。

靶材的合金成分与杂质水平,直接决定薄膜的电学与光学特性。LT金属分析客户的镀膜工艺条件 —— 温度、压力、功率密度 —— 并据此设计成分与之匹配的靶材。

我们设计结构。

我们以自主原创技术合成 ITO 等功能性靶材所需的粉体,从源头设计粒度分布、氧含量与烧结密度。由此形成的靶材结构,可抑制颗粒产生与异常放电。

我们设计可靠性。

我们不止于供应材料。围绕客户的镀膜工艺,我们设计一套可靠性支持体系:工艺条件协商、样品评价,以及问题发生时的原因分析。

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